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NP82N06MLG, NP82N06NLG
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
20
16
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
10000
C iss
12
V GS = 5 V
1000
C oss
8
10 V
4
I D = 41 A
V GS = 0 V
C rss
0
Pulsed
100
f = 1 MHz
-75
-25
25
75
125
175
225
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - ° C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
60
12
50
V DD = 48 V
30 V
10
100
10
V DD = 30 V
V GS = 10 V
t d(off)
t d(on)
t r
t f
40
30
20
10
12 V
V DS
V GS
8
6
4
2
R G = 0 Ω
I D = 82 A
1
0
0
0.1
1
10
100
0
20
40
60
80
100
120
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
1000
100
10
1
10 V
5V
V GS = 0 V
100
0.1
0.01
Pulsed
10
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
0
0.5
1
1.5
1
10
100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D19802EJ1V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
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